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SSD 256GB M.2 2280 SATA / ADATA Ultimate SU800

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ADATA Colombia | SSD & memoria RAM

SSD 256GB M.2 2280 SATA / ADATA Ultimate SU800 | 2306 - ASU800NS38-256GT-C / Unidad de Estado Solido de 256GB, Formato M.2 2280, Flash NAND 3D, Interface SATA 6 Gb/s, Velocidad de Lectura/Escritura: 560 / 520 MB/s, ASU800NS38-256GT-C
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Unidad SSD ADATA SU800 / 256GB M.2 SATA

Unidad de estado sólido Adata Ultimate SU800 M.2 2280, Capacidad 256GB, Flash NAND 3D, Interface SATA 6 Gb/s, Velocidad de lectura 560 MB/s, Velocidad de escritura de 520 MB/s, Resistencia a los golpes: 1500G / 0.5ms, MTBF: 2.000.000 horas, Terabytes escritos (TBW): Hasta 960 TB, Software patentado SSD Toolbox y Utilidad de migración, Dimensiones: 80 x 22 x 3.5 mm, Peso: 8gr, Parte No. ASU800NS38-256GT-C. Garantía 3-Años.


Utilizando 3D NAND Flash y un controlador SMI de alta velocidad, las unidades compactas de estado sólido Ultímate SU800 M.2 2280 brindan capacidades de hasta 1TB y mejoran en gran medida el rendimiento, la eficiencia y la confiabilidad en comparación con las tradicionales 2D NAND. También viene con almacenamiento en caché SLC inteligente y un búfer de caché DRAM para mejorar el rendimiento de lectura / escritura. Con LDPC ECC y tecnologías como alto TBW (total de bytes escritos) y DEVSLP (Device Sleep), el SU800 M.2 2280 actualiza instantáneamente las computadoras portátiles y de escritorio con una estabilidad, durabilidad y eficiencia energética superiores.

Con la implementación de la avanzada Flash NAND 3D, el SU800 M.2 2280 ofrece una mayor densidad y capacidades más grandes que los SSD Flash NAND 2D. Esto significa que es también más eficiente y confiable con una mejor relación coste-rendimiento. El SU800 M.2 2280 viene en una amplia gama de variantes de capacidad de 128GB a 1TB y ofrece velocidades de lectura / escritura de 560 MB/s y 520 MB/s para acelerar el PC. El algoritmo de Caché SLC inteligente permite a la memoria NAND Flash funciona en modo de celda de un solo nivel y aumenta el rendimiento de lectura / escritura. Además, al ser compatible con búfer de caché DRAM, el rendimiento de lectura / escritura puede llegar a ser el doble de las unidades solid state sin caché DRAM, en otras palabras, no pueden utilizar la memoria auxiliar como búfer de SSD para tareas de gran intensidad.

El código de corrección de errores de comprobación de paridad de baja densidad se ha implementado en el SU800 M.2 2280, llevando a una reducción drástica de los errores de datos y un aumento igual en la integridad de los datos. Por lo tanto, protege su preciado contenido contra la corrupción de datos en un grado mucho mayor que los SSD sin ECC o incluso los SSD que utilizan la corrección de errores BCH básica. Compatible con el motor RAID y Data Shaping, el SU800 M.2 2280 asegura la integridad de los datos y ofrece mayor duración del SSD para una estabilidad mejor, más duradera y amortización de lo invertido. Con la implementación de Flash NAND 3D, un controlador SMI de alta calidad, componentes seleccionados y varias tecnologías de mejora del rendimiento, el SU800 M.2 2280 supera a los discos duros tradicionales (HDD) en gran medida, particularmente mejorando el tiempo de arranque y de búsqueda, ofreciendo además una lectura / escritura mucho más rápida.

El SU800 M.2 2280 soporta la tecnología DEVSLP (dispositivo en suspensión) para una mejor eficiencia energética. Esto se traduce en menor coste eléctrico y mayor duración de la batería. En comparación con los discos duros tradicionales, el SU800 M.2 2280 consume tan sólo un 8% de energía en modo inactivo y el 80% menos de energía durante un funcionamiento normal. Para los usuarios que a menudo viajan o van de viaje de negocios, el SU800 M.2 2280 es un gran socio con gran movilidad y capacidad de ahorro de energía en las baterías de los portátiles. 


Especificaciones Técnicas

  • Capacidades: 256GB
  • Factor de forma: M.2 2280
  • Flash NAND: NAND 3D
  • Controlador: SMI
  • Dimensiones: 80 x 22 x 4 m
  • Peso: 8 gr
  • Interfaz: SATA 6 Gb / s
  • Lectura secuencial: Hasta 560 MB/s
  • Escritura secuencial: Hasta 520 MB/s
  • IOPS de lectura aleatoria de 4 KB: Hasta 80K
  • IOPS de escritura aleatoria de 4 KB (máx.): Hasta 80K
  • Temperatura de funcionamiento: 0 ° C - 70 ° C
  • Temperatura de almacenamiento: -40 ° C - 85 ° C
  • Resistencia a los golpes: 1500G / 0.5ms
  • MTBF: 000.000 horas
  • Terabytes escritos (TBW): Hasta 960 TB
  • Garantía: 3 años
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